Görsel mevcut değil
RJP65T54DPM-A0#T2
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
RJP65T54DPM-A0#T2 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJP65T54DPM-A0#T2, 650V Trench tipi IGBT transistördür. 60A kollektör akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-3PFP paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel invertörler gibi uygulamalarda tercih edilir. 72nC gate charge ve 35ns/120ns anahtarlama süresi ile hızlı komutasyon sağlar. Maksimum 63.5W güç yönetimi kapasitesi bulunmaktadır. 175°C'ye kadar işletme sıcaklığı desteği sunar. Bileşen obsolete durumundadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Gate Charge
72 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
SC-94
Part Status
Obsolete
Power - Max
63.5 W
Supplier Device Package
TO-3PFP
Switching Energy
330µJ (on), 760µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
35ns/120ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.68V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V