Görsel mevcut değil
RJP65T43DPQ-A0#T2
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
RJP65T43DPQ-A0#T2 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJP65T43DPQ-A0#T2, 650V darbeye dayanıklı Trench tipi IGBT transistördür. 60A maksimum collector akımı ve 150W maksimum güç yönetimi kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme uygulamalarında, şalter güç kaynakları (SMPS), DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. 69nC kapı yükü ve düşük anahtarlama enerjisi (on: 170µJ, off: 130µJ) ile verimli çalışma sağlar. 175°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Gate Charge
69 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
TO-247A
Switching Energy
170µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
35ns/105ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V