Görsel mevcut değil
RJP65T43DPM-00#T1
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- ABU / IGBT
RJP65T43DPM-00#T1 Hakkında
RJP65T43DPM-00#T1, Renesas Electronics tarafından üretilen 650V/40A kapasiteli Trench tipi IGBT transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 2.4V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 70nC ve anahtarlama enerjisi (on/off) sırasıyla 170µJ/110µJ'dir. 175°C çalışma sıcaklığına kadar kullanılabilen bu transistör, endüstriyel sürücüler, UPS sistemleri, ışık denetleyicileri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Gate Charge
70 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
68.8 W
Supplier Device Package
TO-3PFM
Switching Energy
170µJ (on), 110µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/107ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V