Görsel mevcut değil
RJP60V0DPM-00#T1
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM
RJP60V0DPM-00#T1 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJP60V0DPM-00#T1, 600V kollektör-emiter bozulma gerilimi ile tasarlanmış bir Trench IGBT transistördür. 45A maksimum collector akımı ve 40W maksimum güç dağıtım kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220 paketinde monte edilen bu bileşen, 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanabilir. 75nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir (45ns açılış, 100ns kapanış süresi). Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 2.1V olarak belirlenmiştir. Güç kaynakları, motorlar, solenoid sürücüleri ve inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Gate Charge
75 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
40 W
Supplier Device Package
TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C
45ns/100ns
Test Condition
300V, 22A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 22A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V