Görsel mevcut değil
RJP60F5DPM-00#T1
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 80A 45W TO-3PFM
RJP60F5DPM-00#T1 Hakkında
RJP60F5DPM-00#T1, Renesas Electronics tarafından üretilen 600V/80A gücünde Trench tipi IGBT transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 45W güç tüketimi ile çalışmaya uygundur. Kolektör-emiter arasında 1.8V (15V gate gerilimi, 40A kolektör akımında) açılış gerilimi ile karakterize edilir. 74nC gate charge değeri sayesinde hızlı anahtarlama özelliği sunar (53ns açılış, 90ns kapanış süresi). Endüstriyel uygulamalarda, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve güç elektronik convertörlerinde kullanılan bu transistör, 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Standart input konfigürasyonu ile mevcut sürücü devrelerine uyum sağlayan bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Gate Charge
74 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Market
Power - Max
45 W
Supplier Device Package
TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C
53ns/90ns
Test Condition
400V, 30A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V