Görsel mevcut değil
RJP60F5DPK-01#T0
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 80A 260.4W
RJP60F5DPK-01#T0 Hakkında
RJP60F5DPK-01#T0, Renesas Electronics tarafından üretilen 600V kollektör-emitter gerilimi ile çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 80A sürekli kollektör akımı ve 160A darbe akımı kapasitesine sahip bu bileşen, maksimum 260.4W güç yönetebilir. TO-220-3 paketine yerleştirilmiş olan transistör, 15V gate voltajında 40A akımda 1.8V maksimum Vce(on) değerine ulaşır. 74nC gate charge ve 53ns/90ns açılış/kapanış gecikme süreleri ile hızlı komütasyon sağlar. Güç dönüştürme uygulamaları, motor sürücüleri, inverterler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
74 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
260.4 W
Supplier Device Package
TO-3P
Td (on/off) @ 25°C
53ns/90ns
Test Condition
400V, 30A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V