Görsel mevcut değil
RJP60F4DPM-00#T1
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
RJP60F4DPM-00#T1 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJP60F4DPM-00#T1, 600V kollektör-emitör kırılma voltajı ve 60A maksimum kollektör akımına sahip bir Trench tipi IGBT transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 41.2W maksimum güç disipasyonu kapasitesine ve 1.82V maksimum Vce(on) değerine sahiptir. 45ns açılış ve 70ns kapanış sürelerine sahip olan bu IGBT, standart giriş tipi konfigürasyonunda çalışır ve 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında güvenli çalışır. Güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri, kaynak makineleri ve endüstriyel invertörler gibi yüksek akımı gerektiren anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB montajı için uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
41.2 W
Supplier Device Package
TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C
45ns/70ns
Test Condition
400V, 30A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.82V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V