Görsel mevcut değil
RJP60F0DPM-00#T1
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM
RJP60F0DPM-00#T1 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJP60F0DPM-00#T1, 600V kolektör-emiter breakdown voltajına sahip bir Trench tipi IGBT transistördür. 50A maksimum kolektör akımı ve 40W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 Full Pack paketlemesi ile Through Hole montajı destekler. 15V gate voltajında 25A akımda 1.82V on-state voltajı ile verimli anahtarlama sağlar. 46ns açılış ve 70ns kapanış gecikme süreleri ile hızlı geçiş karakteristiğine sahiptir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, invertörler ve diğer yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
40 W
Supplier Device Package
TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C
46ns/70ns
Test Condition
400V, 30A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.82V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V