Görsel mevcut değil
RJP60F0DPE-00#J3
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 50A 122W LDPAK
RJP60F0DPE-00#J3 Hakkında
RJP60F0DPE-00#J3, Renesas Electronics tarafından üretilen 600V 50A güçlü IGBT transistörüdür. Trench tipi yapısıyla karakterize edilen bu bileşen, maksimum 122W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. SC-83 (LDPAK) paketinde sunulan yüzey montajlı transistör, 150°C'ye kadar çalışabilir. 1.82V Vce(on) değeri ile iletim kaybını minimize eder. 46ns açılış ve 70ns kapanış süresi sayesinde yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç kaynakları, motor sürücüleri, inverter devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-83
Part Status
Obsolete
Power - Max
122 W
Supplier Device Package
LDPAK
Td (on/off) @ 25°C
46ns/70ns
Test Condition
400V, 30A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.82V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V