Görsel mevcut değil
RJP60D0DPP-M0#T2
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 45A 35W TO-220FL
RJP60D0DPP-M0#T2 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJP60D0DPP-M0#T2, 600V breakdawn voltajında çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 45A collector akımı ve 35W maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. TO-220FL paketinde sunulan bu komponent, 35ns açılış ve 90ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 2.2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Gate Charge
45 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
35 W
Supplier Device Package
TO-220FL
Td (on/off) @ 25°C
35ns/90ns
Test Condition
300V, 22A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 22A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V