Görsel mevcut değil
RJP60D0DPM-00#T1
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM
RJP60D0DPM-00#T1 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJP60D0DPM-00#T1, 600V kollektör-emitter gerilimi ile çalışan yüksek voltajlı IGBT transistördür. 45A maksimum kolektör akımı ve 40W güç derecelendirmesi ile tasarlanmıştır. TO-220-3 Full Pack paketlemesi ile through-hole montajını destekler. 2.2V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 45nC gate charge ve 35ns açılış / 90ns kapanış süresi ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. 150°C işletme sıcaklığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Gate Charge
45 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
40 W
Supplier Device Package
TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C
35ns/90ns
Test Condition
300V, 22A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 22A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V