Görsel mevcut değil
RJP6085DPN-00#T2
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 40A TO220AB
RJP6085DPN-00#T2 Hakkında
RJP6085DPN-00#T2, Renesas Electronics tarafından üretilen 600V 40A kapasiteli bir IGBT transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maximum 3.5V Vce(on) değeri ile 40A collector akımında çalışabilen bu transistör, 178.5W güç yönetme kapasitesine sahiptir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan entegre edilebilen RJP6085DPN, sürücü devreleri, invertörler ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Komponentin üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete status).
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
178.5 W
Supplier Device Package
TO-220AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.5V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V