Görsel mevcut değil
RJP4301APP-M0#T2
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 430V TO200FL
RJP4301APP-M0#T2 Hakkında
RJP4301APP-M0#T2, Renesas Electronics tarafından üretilen 430V IGBT transistörüdür. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu komponent, yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200A pulslu kollektör akımı kapasitesine sahip olan transistör, anahtarlama hızı özellikleri ile güç çevirici, motorlar ve endüstriyel kontrol sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. -40°C ile 150°C arasında çalışan transistör, 30W maksimum güç dağıtımına sahiptir. Through-hole montajı ile PCB'ye doğrudan entegre edilebilen ve aktif ürün statüsündeki bu komponent, 50ns açılış ve 100ns kapanış sürelerine sahiptir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
30 W
Supplier Device Package
TO-220FL
Td (on/off) @ 25°C
50ns/100ns
Test Condition
300V, 200A, 30Ohm, 26V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
10V @ 26V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
430 V