Görsel mevcut değil
RJP4010AGE-00#P5
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 400V 1.6W TSOJ8
RJP4010AGE-00#P5 Hakkında
RJP4010AGE-00#P5, Renesas Electronics tarafından üretilen 400V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Maksimum 150A pulse collector akımı ve 1.6W güç disipasyon kapasitesi ile tasarlanmıştır. Surface mount TSOJ8 paketinde sunulan bu komponent, endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, güç dönüştürücüler ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 9V Vce(on) değeri ve standart input tipi ile genel amaçlı güç elektronik uygulamalarında tercih edilen bir çözümdür.
Ürün Özellikleri
9 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Part Status
Active
Power - Max
1.6 W
Supplier Device Package
8-TSOJ
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
9V @ 3V, 150A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V