Görsel mevcut değil
RJP4009ANS-01#Q6
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 400V
RJP4009ANS-01#Q6 Hakkında
RJP4009ANS-01#Q6, Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen 400V IGBT transistördür. Yüksek akım kapasitesi (150A Icm) ve kompakt 8-VDFN yüzey montajlı paket ile tasarlanmıştır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan bu bileşen, güç dönüştürücüler, motor kontrol sistemleri, kaynak makineleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 400V collector-emitter gerilim derecelendirmesi ve 1.8W maksimum güç tüketimi özellikleriyle tasarlanmıştır. Düşük Vce(on) değeri enerji kaybını minimize eder. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş durumdadır.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-VDFN
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.8 W
Supplier Device Package
8-VSON (3x4.4)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
9V @ 2.5V, 150A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V