Görsel mevcut değil
RJH65T04BDPMA0#T2F
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
RJH65T04BDPMA0#T2F Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJH65T04BDPMA0#T2F, 650V Trench IGBT transistördür. 60A maksimum collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-3PFP paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel motor kontrolü, güç dönüştürme, kaynak cihazları ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yer alır. 1.95V düşük on-state gerilimi ile enerji kaybını minimize eder. 35ns açılış ve 125ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. 74nC gate charge değeri ile sürücü devresi tasarımını basitleştirir. 175°C'ye kadar çalışabilir ve 65W maksimum güç dağıtabilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Gate Charge
74 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
SC-94
Part Status
Active
Power - Max
65 W
Reverse Recovery Time (trr)
80 ns
Supplier Device Package
TO-3PFP
Switching Energy
360µJ (on), 350µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
35ns/125ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V