Görsel mevcut değil
RJH65D27BDPQ-A0#T2
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
RJH65D27BDPQ-A0#T2 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJH65D27BDPQ-A0#T2, 650V Trench IGBT transistörtür. 100A maksimum kolektör akımı ve 375W güç sınırlaması ile endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 20ns açılış ve 165ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. 175°C maksimum bağlantı sıcaklığında çalışabilen bu IGBT, güç elektroniği, motor kontrol, invertör devreleri ve kaynak makineleri gibi yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 175nC olup, Vce(on) típik değeri 15V gate geriliminde 50A akımda 1.65V'dur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Gate Charge
175 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
375 W
Reverse Recovery Time (trr)
80 ns
Supplier Device Package
TO-247A
Switching Energy
1mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/165ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.65V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V