Görsel mevcut değil
RJH60V3BDPE-00#J3
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 35A 113W LDPAK
RJH60V3BDPE-00#J3 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJH60V3BDPE-00#J3, 600V breakdown voltajına sahip bir Trench teknolojisi IGBT transistördür. 35A maksimum collector akımı ile 113W güç yönetebilen bu bileşen, surface mount LDPAK (SC-83) paketinde sunulmaktadır. 60nC gate charge ve 25ns reverse recovery time özelliğine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 17A akımda 2.2V'dir. 40ns on-time ve 90ns off-time delay ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. 300V, 17A, 5Ohm test koşullarında ölçülmüştür. Maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel uygulamalarda güç anahtarlaması, motor kontrolü ve AC/DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. Bileşen kullanım dışı (obsolete) durumda olup, yeni tasarımlarda modern alternatiflerin değerlendirilmesi önerilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
35 A
Gate Charge
60 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-83
Part Status
Obsolete
Power - Max
113 W
Reverse Recovery Time (trr)
25 ns
Supplier Device Package
LDPAK
Switching Energy
90µJ (on), 300µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/90ns
Test Condition
300V, 17A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 17A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V