Görsel mevcut değil
RJH60M3DPE-00#J3
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 35A 113W LDPAK
RJH60M3DPE-00#J3 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJH60M3DPE-00#J3, 600V kolektör-emiter gerilimi ve 35A maksimum kolektör akımı ile çalışan Trench tipi IGBT transistördür. SC-83 (LDPAK) surface mount paketinde sunulan bu komponent, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 113W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahip olan transistör, 2.3V Vce(on) değeri ile düşük kondüksiyon kaybı sağlar. 60nC gate charge ve 290µJ açılma/kapanma enerjisi parametreleri ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. Ters toparlanma süresi (trr) 90ns, on/off gecikmesi sırasıyla 38ns/90ns'dir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C olup, indüstriyel ve tüketim elektroniği güç dönüştürücülerinde uygulanabilir. Not: Bu ürün üretim dışıdır (obsolete).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
35 A
Gate Charge
60 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-83
Part Status
Obsolete
Power - Max
113 W
Reverse Recovery Time (trr)
90 ns
Supplier Device Package
LDPAK
Switching Energy
290µJ (on), 290µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
38ns/90ns
Test Condition
300V, 17A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 17A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V