Görsel mevcut değil
RJH60F5DPK-00#T0
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P
RJH60F5DPK-00#T0 Hakkında
Renesas Electronics RJH60F5DPK-00#T0, 600V kollektör-emiter breakdown voltajı ve 80A maksimum kollektör akımı ile tasarlanmış bir Trench IGBT transistördür. TO-220-3 (TO-3P) paketinde sunulan bu bileşen, 260.4W maksimum güç yayma kapasitesine sahiptir. Standard giriş tipine ve through-hole montaj özelliğine sahip olan transistör, maksimum 150°C bağlantı sıcaklığında çalışabilir. 140ns reverse recovery time ve 53ns/105ns on/off gecikmesi (Td) ile hızlı anahtarlama özellikleri sunmaktadır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 40A kollektör akımında 1.8V olarak belirtilmiştir. Endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürme devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
260.4 W
Reverse Recovery Time (trr)
140 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Td (on/off) @ 25°C
53ns/105ns
Test Condition
400V, 30A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V