Görsel mevcut değil
RJH60F4DPK-00#T0
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 60A 235.8W TO-3P
RJH60F4DPK-00#T0 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJH60F4DPK-00#T0, 600V darbeye dayanıklı Trench yapılı IGBT transistördür. 60A kollektör akımı ve 235.8W maksimum güç derecelendirmesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, motor sürücülerinde ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 140ns ters toparlanma süresi ve hızlı açılış/kapanış zamanları (45ns/85ns) ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir işletme sunar.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
235.8 W
Reverse Recovery Time (trr)
140 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Td (on/off) @ 25°C
45ns/85ns
Test Condition
400V, 30A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.82V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V