Görsel mevcut değil
RJH60D7BDPQ-E0#T2
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 600V 90A 300W TO-247
RJH60D7BDPQ-E0#T2 Hakkında
RJH60D7BDPQ-E0#T2, Renesas Electronics tarafından üretilen 600V/90A IGBT transistördür. Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, maksimum 300W güç yönetimi kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, 150°C'ye kadar çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 50A akımda 2.2V'dur. 125nC gate charge ve 25ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Güç kaynakları, motor kontrolörleri, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj tipiyle PCB'ye doğrudan lehimlenir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
90 A
Gate Charge
125 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
300 W
Reverse Recovery Time (trr)
25 ns
Supplier Device Package
TO-247
Switching Energy
700µJ (on), 1.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
60ns/180ns
Test Condition
300V, 50A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V