Görsel mevcut değil
RJH60D6DPM-00#T1
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 80A 50W TO-3PFM
RJH60D6DPM-00#T1 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJH60D6DPM-00#T1, 600V kolektör-emitör kırılma voltajına ve 80A maksimum kolektör akımına sahip bir Trench tipi IGBT transistördür. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu bileşen, 50W maksimum güç seviyesinde çalışmak üzere tasarlanmıştır. 104 nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine (on: 50ns, off: 160ns) ve 100ns reverse recovery time'ına sahiptir. 2.2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürme devreleri, inverter üniteleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 150°C maksimum işletim sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Gate Charge
104 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
50 W
Reverse Recovery Time (trr)
100 ns
Supplier Device Package
TO-3PFM
Switching Energy
850µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
50ns/160ns
Test Condition
300V, 40A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V