Görsel mevcut değil
RJH60D5DPM-00#T1
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 75A 45W TO3PFM
RJH60D5DPM-00#T1 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJH60D5DPM-00#T1, 600V collector-emitter gerilimi ile tasarlanmış bir trench tipi IGBT transistördür. Maksimum 75A collector akımı ve 45W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. TO-220 paketinde sunulan bu komponent, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, invertörler ve motor kontrolü uygulamalarında kullanılır. 78nC gate charge ve optimize edilmiş switching karakteristiğiyle (50ns açılış, 135ns kapanış süresi) yüksek frekans anahtarlamalı güç dönüştürme sistemlerine uygundur. 150°C maksimum junction sıcaklığında güvenilir çalışma sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Gate Charge
78 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
45 W
Reverse Recovery Time (trr)
100 ns
Supplier Device Package
TO-3PFM
Switching Energy
650µJ (on), 270µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
50ns/135ns
Test Condition
300V, 37A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 37A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V