Görsel mevcut değil
RJH60D1DPP-E0#T2
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 10A
RJH60D1DPP-E0#T2 Hakkında
RJH60D1DPP-E0#T2, Renesas Electronics tarafından üretilen 600V 10A IGBT transistördür. Trench teknolojisi kullanarak tasarlanan bu bileşen, maksimum 20A collector akımına ve 30W güç kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket formatında sunulan transistör, switching uygulamalarında ve güç kontrol devrelerinde kullanılmaktadır. 13nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahip olup, maksimum 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Reverse recovery time değeri 70ns olan bu IGBT, AC motor kontrolü, DC-DC konverterleri, güç kaynakları ve endüstriyel switching uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu ürün obsolete (kullanımdan kaldırılmış) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Gate Charge
13 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
30 W
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
Supplier Device Package
TO-220FP
Switching Energy
100µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/42ns
Test Condition
300V, 10A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V