Görsel mevcut değil
RJH60A83RDPD-A0#J2
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 600V 10A
RJH60A83RDPD-A0#J2 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJH60A83RDPD-A0#J2, 600V Trench tipi IGBT transistördür. Maksimum collector akımı 20A, test koşullarında (300V, 10A, 5Ω) Vce(on) değeri 2.6V'tur. 19.7nC gate charge ve 51W maksimum güç disipasyonu özelliklerine sahip bu komponent, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 31ns açılış (on) ve 54ns kapanış (off) delay süreleri ile 230µJ on ve 160µJ off switching enerjisi sağlar. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu IGBT, 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Şu anda üretimi sonlandırılmıştır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Gate Charge
19.7 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
51 W
Reverse Recovery Time (trr)
130 ns
Supplier Device Package
TO-252
Switching Energy
230µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
31ns/54ns
Test Condition
300V, 10A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V