Görsel mevcut değil
RJH60A81RDPD-A0#J2
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 600V 5A
RJH60A81RDPD-A0#J2 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJH60A81RDPD-A0#J2, 600V/5A çalışma kapasitesine sahip bir Trench tipi IGBT transistördür. TO-252 (DPak) kılıfla sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 2,4V Vce(on) değeri ve 11nC gate charge karakteristiği ile düşük kayıp işlemi gerçekleştirir. 30ns açılış/40ns kapanış süresi ve 100ns ters kurtarma süresi (trr) yüksek frekansli devrelerde tercih edilebilir kılmaktadır. Maksimum 29,4W güç dağıtabilen bu IGBT, 150°C bağlantı sıcaklığına kadar çalışabilir. Endüstriyel sürücü, UPS ve motor kontrol devrelerinde uygulanmaktadır. Mevcut durumu itibariyle üretim durdurulmuştur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Gate Charge
11 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
29.4 W
Reverse Recovery Time (trr)
100 ns
Supplier Device Package
TO-252
Switching Energy
130µJ (on), 60µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/40ns
Test Condition
300V, 5A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V