Görsel mevcut değil
RJH60A01RDPD-A0#J2
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 600V 5A
RJH60A01RDPD-A0#J2 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJH60A01RDPD-A0#J2, 600V kesintisiz diyot gerilim ile çalışan bir IGBT transistördür. Trench teknolojisi kullanan bu bileşen, 5A nominal ve 10A maksimum kolektör akımında 2.3V Vce(on) değerine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile tasarlanmıştır. 11nC kapı yükü ve 100ns ters kurtarma süresi ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Anahtarlama enerji değerleri açılışta 130µJ, kapanışta 70µJ'dir. 150°C çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Güç dönüştürücüler, motor sürücüler ve elektrik panosu uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen obsolete durumundadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Gate Charge
11 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
29.4 W
Reverse Recovery Time (trr)
100 ns
Supplier Device Package
TO-252
Switching Energy
130µJ (on), 70µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/40ns
Test Condition
300V, 5A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V