Görsel mevcut değil
RJH1CV7DPQ-E0#T2
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT TRENCH 1200V 70A TO247
RJH1CV7DPQ-E0#T2 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJH1CV7DPQ-E0#T2, 1200V Trench tipi IGBT transistördür. 70A maksimum collector akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 320W maksimum güç disipasyonu sağlar. Switching enerjisi on durumunda 3.2mJ, off durumunda 2.5mJ olarak tanımlanmıştır. 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilir. Reverse recovery süresi 200ns, gate şarjı 166nC'dir. Vce(on) değeri 15V, 35A test koşullarında 2.3V'tur. Güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Güncel pazar uygulamalarında yerini daha yeni versiyonlara bırakmıştır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Gate Charge
166 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
320 W
Reverse Recovery Time (trr)
200 ns
Supplier Device Package
TO-247
Switching Energy
3.2mJ (on), 2.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
53ns/185ns
Test Condition
600V, 35A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V