Görsel mevcut değil
RJH1CV7DPK-00#T0
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 70A 320W TO-3P
RJH1CV7DPK-00#T0 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJH1CV7DPK-00#T0, 1200V kolektör-emitter gerilim derecelendirmesine sahip Trench IGBT transistörüdür. 70A maksimum kolektör akımı ve 320W güç derecelendirmesi ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 through-hole paketlemesi ile güç elektronik devrelerine entegre edilir. Reverse recovery süresi 200ns, switching energy ise on için 3.2mJ, off için 2.5mJ olarak belirtilmiştir. 150°C junction sıcaklığına kadar işletim kapasitesine sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, kaynak cihazları ve UPS sistemlerinde uygulanmaktadır. NOT: Bu bileşen üretimi sonlandırılmıştır (obsolete).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Gate Charge
166 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
320 W
Reverse Recovery Time (trr)
200 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
3.2mJ (on), 2.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
53ns/185ns
Test Condition
600V, 35A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V