Görsel mevcut değil
RJH1CV6DPK-00#T0
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 60A 290W TO-3P
RJH1CV6DPK-00#T0 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJH1CV6DPK-00#T0, 1200V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış Trench IGBT transistördür. 60A maksimum collector akımı ve 290W güç kapasitesi ile güç dönüştürme, inverter, DC-DC dönüştürücü ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile through-hole montajı destekler. 105nC gate charge ve 46/125ns açılış/kapanış süreleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 2.6V on-state voltajı düşük enerji kaybı ile çalışma imkanı tanır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında endüstriyel uygulamalarda güvenilir çalışır. Ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Gate Charge
105 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
290 W
Reverse Recovery Time (trr)
180 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
2.3mJ (on), 1.7mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
46ns/125ns
Test Condition
600V, 30A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V