Görsel mevcut değil
RJH1CV5DPK-00#T0
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 50A 245W TO-3P
RJH1CV5DPK-00#T0 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJH1CV5DPK-00#T0, 1200V kolektör-emiter breakdown voltajına sahip Trench IGBT transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 50A maksimum kolektör akımı ve 245W güç dağıtım kapasitesi ile tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 25A akımda 2.6V olup, düşük iletim kaybı sağlar. 72nC gate charge ve 42ns açılış / 105ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Reverse recovery time 170ns, switching energy ise açılışta 1.9mJ, kapanışta 1.5mJ'dir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve UPS sistemlerinde kullanılır. Ürün mevcut üretimde bulunmamaktadır (Obsolete).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Gate Charge
72 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
245 W
Reverse Recovery Time (trr)
170 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
1.9mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
42ns/105ns
Test Condition
600V, 25A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V