Görsel mevcut değil
RJH1CM5DPQ-E0#T2
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 1200V 30A 245W TO247
RJH1CM5DPQ-E0#T2 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJH1CM5DPQ-E0#T2, 1200V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip tekil IGBT transistörüdür. 30A maksimum collector akımı ve 245W güç yönetimi kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreler, fotovoltaik invertörler, enerji dönüştürücüleri ve kaynak makineleri gibi yüksek voltaj uygulamalarında yer alır. 74nC gate charge ve 40ns/100ns delay time (on/off) özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 1.6mJ on-state ve 700µJ off-state switching enerji değerleri, termik tasarımda göz önüne alınması gereken parametrelerdir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilmektedir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Gate Charge
74 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
245 W
Reverse Recovery Time (trr)
200 ns
Supplier Device Package
TO-247
Switching Energy
1.6mJ (on), 700µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/100ns
Test Condition
600V, 15A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V