Görsel mevcut değil
RJH1CF6RDPQ-80#T2
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 1200V 55A 227.2W TO247
RJH1CF6RDPQ-80#T2 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJH1CF6RDPQ-80#T2, 1200V collector-emitter gerilim derecelendirmesine sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 55A kolektör akımında çalışabilen bu bileşen, 227.2W güç kapasitesine ve 2.3V on-state voltajına (15V gate geriliminde, 30A akımda) sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, enerji dönüştürme uygulamalarında, güç kaynakları, inverterler ve motor kontrol devreleri gibi yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150°C junction sıcaklığında çalışabilme kapasitesi ile endüstriyel ve ağır tesisat uygulamalarına uygundur. Komponent şu anda üretilmeyen (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
55 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
227.2 W
Supplier Device Package
TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V