Görsel mevcut değil
RJH1CF4RDPQ-80#T2
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 1200V 40A 156.2W TO247
RJH1CF4RDPQ-80#T2 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJH1CF4RDPQ-80#T2, 1200V kırılma gerilimi ile tasarlanmış bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paket formatında sunulan bu komponent, maksimum 40A kolektör akımı ve 156.2W güç tüketimi kapasitesi ile doğrusal güç uygulamalarında kullanılır. 2.5V Vce(on) değeri ile belirtilen 20A akımda düşük açık durum kaybı sağlar. 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, DC-DC konvertörler, inverterler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer alan anahtarlama devrelerinde uygulanmaktadır.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
156.2 W
Supplier Device Package
TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V