Görsel mevcut değil
RJH1BF7RDPQ-80#T2
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 1100V 60A 250W TO247
RJH1BF7RDPQ-80#T2 Hakkında
RJH1BF7RDPQ-80#T2, Renesas Electronics tarafından üretilen 1100V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 60A maksimum collector akımı ve 250W güç derecelendirmesiyle endüstriyel uygulamalara uygun hale getirilmiştir. 2.35V Vce(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. Vce kolektör-emiter kırılma voltajı 1100V olup, yüksek voltaj anahtarlama devreleri, motor kontrol üniteleri, AC/DC güç dönüştürücüleri ve inverter uygulamalarında kullanılır. 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
250 W
Supplier Device Package
TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.35V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1100 V