Görsel mevcut değil
RJH1BF6RDPQ-80#T2
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 1100V 55A 227.2W TO247
RJH1BF6RDPQ-80#T2 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJH1BF6RDPQ-80#T2, 1100V kollektör-emiter kırılım gerilimi ile tasarlanmış bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 55A maksimum kollektör akımı ve 227.2W maksimum güç derecelemesi ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç devrelerinde, motor sürücülerinde ve güç dönüştürücülerde yer alır. 2.7V sabit değer gerilimi (Vce(on)) 15V kapı gerilimi ve 55A kolektör akımında ölçülmüştür. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C (TJ) olup, yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sağlar. Bileşen Üretim Sonlandırılmış (Obsolete) durumundadır.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
55 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
227.2 W
Supplier Device Package
TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 55A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1100 V