Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
Renesas HIP2101EIBZ Half-Bridge Gate Driver Entegre Devre
HIP2101EIBZ
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Aile / Seri
- HIP2101
Renesas HIP2101EIBZ Half-Bridge Gate Driver Entegre Devre Hakkında
HIP2101EIBZ, N-kanal MOSFET sürmek için 2 sürücülü half-bridge gate driver IC’dir ve non-inverting giriş yapısına sahiptir. 9V-14V besleme aralığında çalışır, bootstrap ile yüksek taraf maksimum 114V destekler. 8-SOIC-EP (exposed pad) SMD kılıftadır ve çalışma sıcaklığı -55°C ile 150°C (TJ) aralığındadır.
HIP2101EIBZ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad kılıfta üretilmiştir. Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
| Ürün Kodu | HIP2101EIBZ |
| Packaging | Tube |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Voltage - Supply | 9V ~ 14V |
| Input Type | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 114 V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC-EP |
| Rise / Fall Time (Typ) | 10ns, 10ns |
| Channel Type | Independent |
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Number of Drivers | 2 |
| Gate Type | N-Channel MOSFET |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.8V, 2.2V |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 2A, 2A |
| Programmable | Not Verified |
HIP2101EIBZ Datasheet dosyasına ulaşmak için tıklayınız.
Kaynaklar
Veri Sayfası
HIP2101EIBZ PDF
İlgili Ürünler
