Görsel mevcut değil
RBN75H65T1FPQ-A0#CB0
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- ABU / IGBT
RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 Hakkında
Renesas Electronics RBN75H65T1FPQ-A0#CB0, 650V/150A kapasiteli Trench IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum güç yayılımı 312W olup, Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 75A akımda 2V'dur. 54nC gate charge ve 72ns reverse recovery time özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Td(on) 29ns ve Td(off) 113ns (@25°C) ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu transistör, endüstriyel motor sürücüleri, güç kaynakları, enerji dönüştürme sistemleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Switching energy değerleri (on: 1.6mJ, off: 1mJ) ile enerji verimliliği sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 A
Gate Charge
54 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
312 W
Reverse Recovery Time (trr)
72 ns
Supplier Device Package
TO-247A
Switching Energy
1.6mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
29ns/113ns
Test Condition
400V, 75A, 16Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V