Görsel mevcut değil
RBN50H65T1FPQ-A0#CB0
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- ABU / IGBT
RBN50H65T1FPQ-A0#CB0 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RBN50H65T1FPQ-A0#CB0, 650V Trench IGBT teknolojisine sahip bir güç transistörüdür. 100A maksimum collector akımı ve 250W güç yeteneği ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, 2V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 36nC gate charge ve 65ns reverse recovery time özellikleri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu IGBT, indüktif yüklerin kontrolü, motor sürücüleri, tiyristor uygulamaları ve endüstriyel güç dönüştürme devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Standart input tipine sahip olan bileşen, 400V/50A test koşullarında değerlendirilmiştir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Gate Charge
36 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
250 W
Reverse Recovery Time (trr)
65 ns
Supplier Device Package
TO-247A
Switching Energy
830µJ (on), 670µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/93ns
Test Condition
400V, 50A, 16Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V