Görsel mevcut değil
RBN40H65T1FPQ-A0#CB0
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- ABU / IGBT
RBN40H65T1FPQ-A0#CB0 Hakkında
RBN40H65T1FPQ-A0#CB0, Renesas Electronics tarafından üretilen 650V/80A derecelendirilmiş bir Trench IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 185W maksimum güç yönetimi ve 2V Vce(on) değeriyle endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 28nC gate charge ve 22ns/96ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Maksimum çalışma sıcaklığı 175°C (TJ) olup, 55ns reverse recovery time ile iyileştirilmiş veri yolu ve inverted uygulamalarda tercih edilir. Sunucu, enerji dönüştürme, UPS ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Gate Charge
28 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
185 W
Reverse Recovery Time (trr)
55 ns
Supplier Device Package
TO-247A
Switching Energy
620µJ (on), 520µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/96ns
Test Condition
400V, 40A, 16Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V