Görsel mevcut değil
RBN40H125S1FPQ-A0#CB0
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- ABU / IGBT
RBN40H125S1FPQ-A0#CB0 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RBN40H125S1FPQ-A0#CB0, 1250V Collector-Emitter Breakdown voltajında çalışan Trench tipi IGBT transistördür. Maksimum 80A kollektor akımı ile 319W güç yönetim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük Vce(on) değeri (2.34V @ 15V, 40A) sayesinde enerji kaybını minimize eder. 85nC gate charge ve 156ns reverse recovery time özellikleriyle hızlı komütasyon performansı sağlar. Endüstriyel sürücü devreler, güç kaynakları, invertör uygulamaları ve elektrik motor kontrolü sistemlerinde kullanıma uygundur. 175°C maksimum sıcaklıkta güvenli çalışma kapasitesi sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Gate Charge
85 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
319 W
Reverse Recovery Time (trr)
156 ns
Supplier Device Package
TO-247A
Switching Energy
2mJ (on), 1.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/124ns
Test Condition
600V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.34V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1250 V