Görsel mevcut değil
RBN25H125S1FPQ-A0#CB0
- Üretici
- Renesas Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- ABU / IGBT
RBN25H125S1FPQ-A0#CB0 Hakkında
RBN25H125S1FPQ-A0#CB0, Renesas Electronics tarafından üretilen Trench IGBT transistördür. 1250V collector-emitter breakdown voltajı ve 50A maksimum collector akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 223W maksimum güç dağılımı kapasitesine ve 56nC gate yükü karakteristiğine sahiptir. Düşük switching energy değerleri (on: 1.1mJ, off: 800µJ) ile hızlı komütasyon gerçekleştir. 175°C maksimum işletme sıcaklığında çalışabilen bu transistör, endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, inverter ve konvertör uygulamalarında tercih edilir. Standard input tipi ile standart drive devrelerle uyumludur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Gate Charge
56 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
223 W
Reverse Recovery Time (trr)
102 ns
Supplier Device Package
TO-247A
Switching Energy
1.1mJ (on), 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
19ns/109ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.34V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1250 V