Görsel mevcut değil
PMZB370UNE,315
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NEXPERIA PMZB370UNE - SMALL SIGN
PMZB370UNE,315 Hakkında
PMZB370UNE, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 900mA sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarına uygundur. 490mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 3-XFDFN yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (1.16nC) ve düşük input kapasitansi (78pF) nedeniyle hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve diğer düşük güçlü elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
900mA (Ta)
Part Status
Active
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.16 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
78 pF @ 25 V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-XFDFN
Power Dissipation (Max)
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
490mOhm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package
DFN1006B-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.05V @ 250µA