Görsel mevcut değil
PMN40UPE,115
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NEXPERIA PMN40UPE - SMALL SIGNAL
PMN40UPE,115 Hakkında
PMN40UPE,115 bir P-Channel MOSFET transistördür ve küçük sinyal uygulamalarında kullanılır. Maksimum 20V drain-source voltajı ve 4.7A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 43mΩ on-state direnci (4.5V gate voltajında 3A'de) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devrelerinde, motor kontrolünde ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. SC-74 yüzey montaj paketinde sunulan PMN40UPE, kompakt tasarımlar için uygundur. Maksimum 500mW güç disipasyon kapasitesiyle (Ta'da) verimli elektronik sistemlerin tasarlanmasını destekler.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.7A (Ta)
Part Status
Active
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
FET Type
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1820 pF @ 10 V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SC-74, SOT-457
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package
6-TSOP
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA