Görsel mevcut değil
PMBT5551,235
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 160V 0.3A SOT23
PMBT5551,235 Hakkında
PMBT5551, Nexperia tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan bu bileşen, 160V maksimum collector-emitter gerilimi ile orta gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 300mA collector akımı ve 250mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde çalışır. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. 80'lik minimum DC akım kazancı (hFE), güvenilir ve tahmin edilebilir devre tasarımı sağlar. 200mV saturasyon gerilimi ile düşük enerji kaybı sunmakta, endüstriyel kontrol, aydınlatma yönetimi ve genel sinyal işleme uygulamalarında tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V