Görsel mevcut değil
PHE13003A,412
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NOW WEEN - PHE13003A - POWER BIP
PHE13003A,412 Hakkında
PHE13003A,412, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Through Hole montajı için TO-92-3 paketinde sunulmaktadır. 400V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 1A collector akımı ve 2.1W güç derecelendirmesi ile orta seviye anahtarlama ve amplifikasyon görevlerine uygundur. 150°C'ye kadar çalışan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. 10 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 1.5V doyum voltajı ile güvenilir performans sunmaktadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 400mA, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Active
Power - Max
2.1 W
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 750mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V