Görsel mevcut değil
PEMH18,115
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- SOT-563
- Açıklama
- NEXPERIA PEMH18 - SMALL SIGNAL B
PEMH18,115 Hakkında
PEMH18,115, Nexperia tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistördür. SOT-563 ve SOT-666 yüzey montaj paketlerinde sunulan bu komponent, 100mA maksimum kolektör akımı ve 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 4.7kΩ baz ve 10kΩ emitter-baz dahili direnç yapısına sahiptir. 300mW maksimum güç ile tasarlanan PEMH18, ön yükleme dirençleri sayesinde sinyal işleme, amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında direkt kullanıma hazırdır. Düşük açılı akımı ve hızlı komutasyon özelliği ile lojik seviyeleri kontrol eden devrelerde, sensör arayüzlerinde ve RF uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Part Status
Active
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Power - Max
300mW
Resistor - Base (R1)
4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10kOhms
Supplier Device Package
SOT-666
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V