2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
PDTA143EMB,315 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

PDTA143EMB,315

Üretici
Nexperia
Kılıf / Paket
Açıklama
TRANS PNP 50V 100MA DFN1006B-3

PDTA143EMB,315 Hakkında

PDTA143EMB,315, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount DFN1006B-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışır. 180MHz transition frequency'si sayesinde orta frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. 250mW maksimum güç disipasyonu ve 150mV saturation voltajı ile yapılandırılan bu transistör, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve düşük sinyal seviyesi amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. DC current gain (hFE) değeri 10mA collector akımında 5V vce'de minimum 30'dur. 1µA maksimum cutoff akımı ile yüksek input impedans sağlar.

Ürün Özellikleri

12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 180MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 3-XFDFN
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package DFN1006B-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V