Görsel mevcut değil
PDTA124EMB,315
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NEXPERIA PDTA124EMB - SMALL SIGN
PDTA124EMB,315 Hakkında
PDTA124EMB,315, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi pre-biased (ön yüklü) BJT transistördür. SC-101 / SOT-883 Surface Mount paketinde sunulan bu transistör, maksimum 100mA kolektör akımı ve 180MHz geçiş frekansı özellikleri ile sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Entegre 22kΩ base ve emitter-base dirençleri ile standart elektronik devrelerde doğrudan uygulanabilir. 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 250mW maksimum güç derecesi sayesinde güçlü sinyal işleme gereksinimi olan tasarımlara uygun bir seçenektir. Bilgisayar, haberleşme ve tüketici elektroniği ürünlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Part Status
Active
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
180 MHz
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-101, SOT-883
Power - Max
250 mW
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
22 kOhms
Supplier Device Package
DFN1006B-3
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V